BUZ31 H3045A
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| Numero parte | BUZ31 H3045A |
| PNEDA Part # | BUZ31-H3045A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 19.212 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUZ31 H3045A Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUZ31 H3045A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BUZ31 H3045A, BUZ31 H3045A Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 1.209,77 KB)
  
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BUZ31 H3045A Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 95W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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