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BUK9Y40-55B,115

BUK9Y40-55B,115

Solo per riferimento

Numero parte BUK9Y40-55B,115
PNEDA Part # BUK9Y40-55B-115
Descrizione MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 95.676
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9Y40-55B Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9Y40-55B,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK9Y40-55B, BUK9Y40-55B Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 732,1 KB)
PDFBUK9Y40-55B Datasheet Copertura
BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 2 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 3 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 4 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 5 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 6 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 7 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 8 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 9 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 10 BUK9Y40-55B Datasheet Pagina 11

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BUK9Y40-55B Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C26A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 5V
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)59W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta), 27A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.3mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.9W (Ta), 23W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

DMN1150UFB-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.41A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

106pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-DFN1006 (1.0x0.6)

Pacchetto / Custodia

3-UFDFN

FDBL9406L-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

43A (Ta), 240A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

121nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HPSOF

Pacchetto / Custodia

8-PowerSFN

HAT2165HWS-E

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5180pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

5-LFPAK

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (DC)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 230µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13178pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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