BUK9K6R8-40EX
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| Numero parte | BUK9K6R8-40EX |
| PNEDA Part # | BUK9K6R8-40EX |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.808 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUK9K6R8-40EX Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK9K6R8-40EX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
BUK9K6R8-40EX, BUK9K6R8-40EX Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 758,04 KB)
  
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BUK9K6R8-40EX Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Potenza - Max | 64W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56D |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V Potenza - Max 500mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-666 |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 62V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V Potenza - Max 2.27W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 4 P-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 780mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 16-PDIP |
Produttore Sanken Serie - Tipo FET 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore 12-SIP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
