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BUK9K6R8-40EX

BUK9K6R8-40EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K6R8-40EX
PNEDA Part # BUK9K6R8-40EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.808
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K6R8-40EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K6R8-40EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K6R8-40EX, BUK9K6R8-40EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 758,04 KB)
PDFBUK9K6R8-40EX Datasheet Copertura
BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 2 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 3 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 4 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 5 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 6 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 7 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 8 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 9 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 10 BUK9K6R8-40EX Datasheet Pagina 11

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BUK9K6R8-40EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 25V
Potenza - Max64W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

62V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Potenza - Max

2.27W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

STS8C5H30L

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

857pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BSO203PHXUMA1

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Produttore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 15V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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