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BUK9K30-80EX

BUK9K30-80EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K30-80EX
PNEDA Part # BUK9K30-80EX
Descrizione MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K30-80EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K30-80EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K30-80EX, BUK9K30-80EX Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 268,4 KB)
PDFBUK9K30-80EX Datasheet Copertura
BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 2 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 3 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 4 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 5 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 6 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 7 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 8 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 9 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 10 BUK9K30-80EX Datasheet Pagina 11

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BUK9K30-80EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2297pF @ 25V
Potenza - Max53W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

527pF @ 30V, 436pF @ 30V

Potenza - Max

1.4W (Ta), 5.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

APTM50DHM75TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

AON4605

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x2)

NTZD3152PT1H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1208pF @ 15V

Potenza - Max

22.7W, 100W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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