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BUK9K22-80EX

BUK9K22-80EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K22-80EX
PNEDA Part # BUK9K22-80EX
Descrizione MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.250
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K22-80EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K22-80EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K22-80EX, BUK9K22-80EX Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 249,65 KB)
PDFBUK9K22-80EX Datasheet Copertura
BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 2 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 3 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 4 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 5 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 6 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 7 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 8 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 9 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 10 BUK9K22-80EX Datasheet Pagina 11

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BUK9K22-80EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3115pF @ 25V
Potenza - Max64W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 15V

Potenza - Max

220mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V, 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA, 130mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Potenza - Max

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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