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BUK9840-55/CUX

BUK9840-55/CUX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9840-55/CUX
PNEDA Part # BUK9840-55-CUX
Descrizione MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9840-55/CUX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9840-55/CUX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK9840-55/CUX, BUK9840-55/CUX Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 307,03 KB)
PDFBUK9840-55 Datasheet Copertura
BUK9840-55 Datasheet Pagina 2 BUK9840-55 Datasheet Pagina 3 BUK9840-55 Datasheet Pagina 4 BUK9840-55 Datasheet Pagina 5 BUK9840-55 Datasheet Pagina 6 BUK9840-55 Datasheet Pagina 7 BUK9840-55 Datasheet Pagina 8 BUK9840-55 Datasheet Pagina 9 BUK9840-55 Datasheet Pagina 10 BUK9840-55 Datasheet Pagina 11

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BUK9840-55/CUX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta), 10.7A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)8.3W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-73
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4305pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.9W (Ta), 180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-4L

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

IXFH60N25Q

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

XP162A12A6PR-G

Torex Semiconductor Ltd

Produttore

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2-EP

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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