BUK9506-55B,127
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| Numero parte | BUK9506-55B,127 |
| PNEDA Part # | BUK9506-55B-127 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.982 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK9506-55B Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK9506-55B,127 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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BUK9506-55B Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7565pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 258W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 87A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2130pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
