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BUK9217-75B,118

BUK9217-75B,118

Solo per riferimento

Numero parte BUK9217-75B,118
PNEDA Part # BUK9217-75B-118
Descrizione MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9217-75B Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9217-75B,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK9217-75B, BUK9217-75B Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 821,03 KB)
PDFBUK9217-75B Datasheet Copertura
BUK9217-75B Datasheet Pagina 2 BUK9217-75B Datasheet Pagina 3 BUK9217-75B Datasheet Pagina 4 BUK9217-75B Datasheet Pagina 5 BUK9217-75B Datasheet Pagina 6 BUK9217-75B Datasheet Pagina 7 BUK9217-75B Datasheet Pagina 8 BUK9217-75B Datasheet Pagina 9 BUK9217-75B Datasheet Pagina 10 BUK9217-75B Datasheet Pagina 11

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BUK9217-75B Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C64A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 5V
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4029pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)167W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 185°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPSA70R450P7SAKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 400V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

424pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NTD4905N-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 67A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta), 44W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPA90R1K0C3XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 370µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

32W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2435pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

106W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

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