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BUK7Y25-40B/C,115

BUK7Y25-40B/C,115

Solo per riferimento

Numero parte BUK7Y25-40B/C,115
PNEDA Part # BUK7Y25-40B-C-115
Descrizione MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK
Produttore NXP
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Disponibile 2.916
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7Y25-40B/C Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7Y25-40B/C,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK7Y25-40B/C, BUK7Y25-40B/C Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 806,2 KB)
PDFBUK7Y25-40B/C Datasheet Copertura
BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 2 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 3 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 4 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 5 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 6 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 7 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 8 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 9 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 10 BUK7Y25-40B/C Datasheet Pagina 11

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BUK7Y25-40B/C Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35.3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.1nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds693pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)59.4W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 95µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 167W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDU5N50NZTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

BTS244ZNKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TEMPFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 25V

Funzione FET

Temperature Sensing Diode

Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-5-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-5 Formed Leads

FDI8442

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

254W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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