BUK7M67-60EX
Solo per riferimento
| Numero parte | BUK7M67-60EX |
| PNEDA Part # | BUK7M67-60EX |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V MLFPAK |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 12.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 30 - lug 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
BUK7M67-60EX Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BUK7M67-60EX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- BUK7M67-60EX Datasheet
- where to find BUK7M67-60EX
- Nexperia
- Nexperia BUK7M67-60EX
- BUK7M67-60EX PDF Datasheet
- BUK7M67-60EX Stock
- BUK7M67-60EX Pinout
- Datasheet BUK7M67-60EX
- BUK7M67-60EX Supplier
- Nexperia Distributor
- BUK7M67-60EX Price
- BUK7M67-60EX Distributor
BUK7M67-60EX Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 334pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
| Pacchetto / Custodia | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 11.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-88FL/MCPH6 Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TSMT3 Pacchetto / Custodia SC-96 |
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Plus Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
