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BUK766R0-60E,118

BUK766R0-60E,118

Solo per riferimento

Numero parte BUK766R0-60E,118
PNEDA Part # BUK766R0-60E-118
Descrizione MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.554
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK766R0-60E Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK766R0-60E,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK766R0-60E, BUK766R0-60E Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 713,35 KB)
PDFBUK766R0-60E Datasheet Copertura
BUK766R0-60E Datasheet Pagina 2 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 3 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 4 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 5 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 6 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 7 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 8 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 9 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 10 BUK766R0-60E Datasheet Pagina 11

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BUK766R0-60E Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4520pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)182W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 34.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 34.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

460W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS-220SMD

Pacchetto / Custodia

PLUS-220SMD

NDDP010N25AZ-1H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

980pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK/TP

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 32W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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