BUK652R1-30C,127
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| Numero parte | BUK652R1-30C,127 |
| PNEDA Part # | BUK652R1-30C-127 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.220 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK652R1-30C Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK652R1-30C,127 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BUK652R1-30C Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 168nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10918pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 263W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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