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BU9891GUL-WE2

BU9891GUL-WE2

Solo per riferimento

Numero parte BU9891GUL-WE2
PNEDA Part # BU9891GUL-WE2
Descrizione IC EEPROM 4K SPI 2MHZ VCSP50L1
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.938
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 29 - lug 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BU9891GUL-WE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBU9891GUL-WE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BU9891GUL-WE2, BU9891GUL-WE2 Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 734,63 KB)
PDFBU9891GUL-WE2 Datasheet Copertura
BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 2 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 3 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 4 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 5 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 6 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 7 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 8 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 9 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 10 BU9891GUL-WE2 Datasheet Pagina 11

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BU9891GUL-WE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (256 x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreVCSP50L1

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

11AA040-I/TO

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

Single Wire

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

CY7C1423TV18-267BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

267MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

MT29F1G08ABAEAWP:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

S99-50309

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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