BTS282Z E3180A
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| Numero parte | BTS282Z E3180A |
| PNEDA Part # | BTS282Z-E3180A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.048 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BTS282Z E3180A Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BTS282Z E3180A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BTS282Z E3180A, BTS282Z E3180A Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 270,91 KB)
  
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BTS282Z E3180A Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | TEMPFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 49V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Funzione FET | Temperature Sensing Diode |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-7-180 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LPTS Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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