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BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1

Solo per riferimento

Numero parte BSZ15DC02KDHXTMA1
PNEDA Part # BSZ15DC02KDHXTMA1
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.304
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSZ15DC02KDHXTMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSZ15DC02KDHXTMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BSZ15DC02KDHXTMA1, BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 378,09 KB)
PDFBSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Copertura
BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 2 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 3 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 4 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 5 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 6 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 7 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 8 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 9 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 10 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet Pagina 11

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BSZ15DC02KDHXTMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds419pF @ 10V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSDSON-8-FL

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 10V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

18-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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DMN2990UDJQ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

450mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 16V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-963

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-963

ALD1108EPCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.01V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 5V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

APTC60DSKM35T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Potenza - Max

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