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BSS84AKV,115

BSS84AKV,115

Solo per riferimento

Numero parte BSS84AKV,115
PNEDA Part # BSS84AKV-115
Descrizione MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 295.488
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSS84AKV Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSS84AKV,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BSS84AKV, BSS84AKV Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.426,98 KB)
PDFBSS84AKV Datasheet Copertura
BSS84AKV Datasheet Pagina 2 BSS84AKV Datasheet Pagina 3 BSS84AKV Datasheet Pagina 4 BSS84AKV Datasheet Pagina 5 BSS84AKV Datasheet Pagina 6 BSS84AKV Datasheet Pagina 7 BSS84AKV Datasheet Pagina 8 BSS84AKV Datasheet Pagina 9 BSS84AKV Datasheet Pagina 10 BSS84AKV Datasheet Pagina 11

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BSS84AKV Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds36pF @ 25V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-666

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

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Tipo FET

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Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 4.5V

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