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BSR58,215

BSR58,215

Solo per riferimento

Numero parte BSR58,215
PNEDA Part # BSR58-215
Descrizione JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.768
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSR58 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSR58,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
BSR58, BSR58 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 429,64 KB)
PDFBSR57 Datasheet Copertura
BSR57 Datasheet Pagina 2 BSR57 Datasheet Pagina 3 BSR57 Datasheet Pagina 4 BSR57 Datasheet Pagina 5 BSR57 Datasheet Pagina 6 BSR57 Datasheet Pagina 7 BSR57 Datasheet Pagina 8 BSR57 Datasheet Pagina 9 BSR57 Datasheet Pagina 10

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BSR58 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id800mV @ 0.5nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)60 Ohms
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23 (TO-236AB)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

J175_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

125 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BSR56

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

25 Ohms

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Serie

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N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

10 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

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