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BSR50_J35Z

BSR50_J35Z

Solo per riferimento

Numero parte BSR50_J35Z
PNEDA Part # BSR50_J35Z
Descrizione TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO-92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.138
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSR50_J35Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSR50_J35Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BSR50_J35Z, BSR50_J35Z Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 27,43 KB)
PDFBSR50_J35Z Datasheet Copertura
BSR50_J35Z Datasheet Pagina 2 BSR50_J35Z Datasheet Pagina 3

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BSR50_J35Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 4mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)50nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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BC549TAR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC846AMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

310mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

JANTX2N1711

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/225

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 15mA, 150mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

BC847BLP-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-UFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

3-DFN1006 (1.0x0.6)

ZXTP08400BFFTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

190mV @ 40mA, 200mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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