BSP89H6327XTSA1
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Numero parte | BSP89H6327XTSA1 |
PNEDA Part # | BSP89H6327XTSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 4SOT223 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 34.548 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSP89H6327XTSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | BSP89H6327XTSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSP89H6327XTSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | SIPMOS® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 240V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 108µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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