BSP320SL6327HTSA1
Solo per riferimento
| Numero parte | BSP320SL6327HTSA1 |
| PNEDA Part # | BSP320SL6327HTSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.364 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
BSP320SL6327HTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BSP320SL6327HTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BSP320SL6327HTSA1, BSP320SL6327HTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 455,14 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- BSP320SL6327HTSA1 Datasheet
- where to find BSP320SL6327HTSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies BSP320SL6327HTSA1
- BSP320SL6327HTSA1 PDF Datasheet
- BSP320SL6327HTSA1 Stock
- BSP320SL6327HTSA1 Pinout
- Datasheet BSP320SL6327HTSA1
- BSP320SL6327HTSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- BSP320SL6327HTSA1 Price
- BSP320SL6327HTSA1 Distributor
BSP320SL6327HTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 178A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 417W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 3.55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PF Pacchetto / Custodia TO-3P-3 Full Pack |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™, PolarHT™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
