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BSP19AT1G

BSP19AT1G

Solo per riferimento

Numero parte BSP19AT1G
PNEDA Part # BSP19AT1G
Descrizione TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.748
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BSP19AT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSP19AT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BSP19AT1G, BSP19AT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 105,55 KB)
PDFNSVBSP19AT1G Datasheet Copertura
NSVBSP19AT1G Datasheet Pagina 2 NSVBSP19AT1G Datasheet Pagina 3 NSVBSP19AT1G Datasheet Pagina 4 NSVBSP19AT1G Datasheet Pagina 5

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BSP19AT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)350V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 4mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)20nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Potenza - Max800mW
Frequenza - Transizione70MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

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BC557AZL1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

320MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BSP61E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.8V @ 1mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

TIP117G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

2N5551ZL1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

NJD2873RL

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1.68W

Frequenza - Transizione

65MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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