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BSO4804T

BSO4804T

Solo per riferimento

Numero parte BSO4804T
PNEDA Part # BSO4804T
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.142
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSO4804T Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSO4804T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BSO4804T, BSO4804T Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.313,15 KB)
PDFBSO4804T Datasheet Copertura
BSO4804T Datasheet Pagina 2 BSO4804T Datasheet Pagina 3 BSO4804T Datasheet Pagina 4 BSO4804T Datasheet Pagina 5 BSO4804T Datasheet Pagina 6 BSO4804T Datasheet Pagina 7 BSO4804T Datasheet Pagina 8

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BSO4804T Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

Potenza - Max

4.3W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair® (3.3x3.3)

ALD110908SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

820mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

APTM50AM19STG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

492nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22400pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

IRFH7911TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 15V

Potenza - Max

2.4W, 3.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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