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BSO4804HUMA2

BSO4804HUMA2

Solo per riferimento

Numero parte BSO4804HUMA2
PNEDA Part # BSO4804HUMA2
Descrizione MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.346
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSO4804HUMA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSO4804HUMA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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BSO4804HUMA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitorePG-DSO-8

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (Max) @ Id

360mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

SC8673040L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 5.85mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W, 2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

HSO8-F3-B

IRF5852TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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