BSO080P03NS3EGXUMA1
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| Numero parte | BSO080P03NS3EGXUMA1 |
| PNEDA Part # | BSO080P03NS3EGXUMA1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.932 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSO080P03NS3EGXUMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSO080P03NS3EGXUMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSO080P03NS3EGXUMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6750pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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