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BSM75GD60DLCBOSA1

BSM75GD60DLCBOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM75GD60DLCBOSA1
PNEDA Part # BSM75GD60DLCBOSA1
Descrizione IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM75GD60DLCBOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM75GD60DLCBOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM75GD60DLCBOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)95A
Potenza - Max330W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 75A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

550A

Potenza - Max

1750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

F3L300R12PT4PB26BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

1MS08017E32W31490NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

PSDC412E11228049NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Potenza - Max

300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

750µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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