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BSM75GB60DLCHOSA1

BSM75GB60DLCHOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM75GB60DLCHOSA1
PNEDA Part # BSM75GB60DLCHOSA1
Descrizione IGBT MODULE 600V 100A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.622
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM75GB60DLCHOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM75GB60DLCHOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
BSM75GB60DLCHOSA1, BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 125 KB)
PDFBSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Copertura
BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 2 BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 3 BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 4 BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 5 BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 6 BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 7 BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 8 BSM75GB60DLCHOSA1 Datasheet Pagina 9

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BSM75GB60DLCHOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Potenza - Max355W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 75A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.056nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

7PM-GA

Pacchetto dispositivo fornitore

7PM-GA

APTCV40H60CT1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Potenza - Max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

CM75TF-12H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.5nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FZ400R12KS4PHOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF350DA60G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

430A

Potenza - Max

1562W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 360A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

17.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

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