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BSM30GP60BOSA1

BSM30GP60BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM30GP60BOSA1
PNEDA Part # BSM30GP60BOSA1
Descrizione IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM30GP60BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM30GP60BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM30GP60BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Potenza - Max180W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 30A
Corrente - Taglio collettore (Max)300nA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.6nF @ 25V
InputThree Phase Bridge Rectifier
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

135A

Potenza - Max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

FF300R17KE3S4HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGF50X60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

MWI25-12A7

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

225W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

APTGTQ200DA65T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Boost Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

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