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BSL306NH6327XTSA1

BSL306NH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSL306NH6327XTSA1
PNEDA Part # BSL306NH6327XTSA1
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.876
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSL306NH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSL306NH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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BSL306NH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds275pF @ 15V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSOP-6-6

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Advanced Linear Devices Inc.

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 14A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2110pF @ 30V

Potenza - Max

1.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1286pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

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