BSC123N10LSGATMA1
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| Numero parte | BSC123N10LSGATMA1 |
| PNEDA Part # | BSC123N10LSGATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.696 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 29 - lug 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSC123N10LSGATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSC123N10LSGATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSC123N10LSGATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.6A (Ta), 71A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 72µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 114W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-1 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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