BSC072N025S G
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Numero parte | BSC072N025S G |
PNEDA Part # | BSC072N025S-G |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.960 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC072N025S G Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | BSC072N025S G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
BSC072N025S G, BSC072N025S G Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 377,22 KB)
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BSC072N025S G Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-1 |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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