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BSC027N10NS5ATMA1

BSC027N10NS5ATMA1

Solo per riferimento

Numero parte BSC027N10NS5ATMA1
PNEDA Part # BSC027N10NS5ATMA1
Descrizione TRENCH >=100V
Produttore Infineon Technologies
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Disponibile 8.694
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BSC027N10NS5ATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSC027N10NS5ATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BSC027N10NS5ATMA1, BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 831,21 KB)
PDFBSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Copertura
BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 2 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 3 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 4 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 5 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 6 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 7 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 8 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 9 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 10 BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet Pagina 11

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BSC027N10NS5ATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C23A (Ta), 100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 146µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs111nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8200pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSON-8-3
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

590mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30.3pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006B-3

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

RSJ650N10TL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10780pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LPTS

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK20J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(N)

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

2SK302200L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta), 10W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-G2

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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