BSC014N04LSATMA1
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| Numero parte | BSC014N04LSATMA1 |
| PNEDA Part # | BSC014N04LSATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 38.280 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSC014N04LSATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSC014N04LSATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSC014N04LSATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSO8 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVIII Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVII-H Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore CST3 Pacchetto / Custodia SC-101, SOT-883 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 3.3V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 5A, 3.3V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 3.3V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1503pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.47W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore X3-DSN1010-3 Pacchetto / Custodia 3-XDFN |
