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BS250FTC

BS250FTC

Solo per riferimento

Numero parte BS250FTC
PNEDA Part # BS250FTC
Descrizione MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.426
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BS250FTC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBS250FTC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BS250FTC, BS250FTC Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 80,37 KB)
PDFBS250FTC Datasheet Copertura
BS250FTC Datasheet Pagina 2 BS250FTC Datasheet Pagina 3

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BS250FTC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)45V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C90mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)330mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.65A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1643pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

810mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IXCP01N90E

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

133pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPB90R340C3ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

208W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDD86540

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21.5A (Ta), 50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6340pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 127W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STB34N65M5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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