BS2103F-E2
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| Numero parte | BS2103F-E2 |
| PNEDA Part # | BS2103F-E2 |
| Descrizione | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.590 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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BS2103F-E2 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BS2103F-E2 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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BS2103F-E2 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10V ~ 18V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 60mA, 130mA |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 200ns, 100ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata - Tipo di canale - Numero di driver - Tipo di porta - Tensione - Alimentazione - Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 150ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.9A, 2.3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 40ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 12A, 12A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 24ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Maxim Integrated Serie - Configurazione guidata - Tipo di canale - Numero di driver - Tipo di porta - Tensione - Alimentazione - Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
