Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BS107PSTOB

BS107PSTOB

Solo per riferimento

Numero parte BS107PSTOB
PNEDA Part # BS107PSTOB
Descrizione MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.842
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BS107PSTOB Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBS107PSTOB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BS107PSTOB, BS107PSTOB Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 652,81 KB)
PDFBS107PSTOB Datasheet Copertura
BS107PSTOB Datasheet Pagina 2 BS107PSTOB Datasheet Pagina 3 BS107PSTOB Datasheet Pagina 4 BS107PSTOB Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • BS107PSTOB Datasheet
  • where to find BS107PSTOB
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated BS107PSTOB
  • BS107PSTOB PDF Datasheet
  • BS107PSTOB Stock

  • BS107PSTOB Pinout
  • Datasheet BS107PSTOB
  • BS107PSTOB Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • BS107PSTOB Price
  • BS107PSTOB Distributor

BS107PSTOB Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.6V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreE-Line (TO-92 compatible)
Pacchetto / CustodiaE-Line-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPA60R1K5CEXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220 Full Pack

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF7807VD1TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXTX24N100

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

267nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

568W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

R5011ANJTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LPTS

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STU7N80K5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Venduto di recente

IS25LP032D-JNLE-TR

IS25LP032D-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP

0451007.MRL

0451007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

LT1963AEST-2.5#PBF

LT1963AEST-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 2.5V 1.5A SOT223-3

ADM1031ARQZ

ADM1031ARQZ

ON Semiconductor

IC SENSOR 2-TEMP/FAN CTRL 16QSOP

LS4148-GS08

LS4148-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80

20CTQ045

20CTQ045

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

STPS2H100U

STPS2H100U

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

MBRA210LT3G

MBRA210LT3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA

IRGP4750D-EPBF

IRGP4750D-EPBF

Infineon Technologies

IGBT 650V 70A 273W TO247AD

LM7824ACT

LM7824ACT

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 24V 1A TO220-3

SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8