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BRCB008GWZ-3E2

BRCB008GWZ-3E2

Solo per riferimento

Numero parte BRCB008GWZ-3E2
PNEDA Part # BRCB008GWZ-3E2
Descrizione IC EEPROM 8K I2C UCSP30L1
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.362
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BRCB008GWZ-3E2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBRCB008GWZ-3E2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BRCB008GWZ-3E2, BRCB008GWZ-3E2 Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 455,8 KB)
PDFBRCB008GWZ-3E2 Datasheet Copertura
BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 2 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 3 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 4 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 5 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 6 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 7 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 8 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 9 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 10 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 11

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BRCB008GWZ-3E2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-XFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreUCSP30L1

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

71256L20YG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

W9812G6JB-6 TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

1.152Mb (32K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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CY7C1412SV18-200BZC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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