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BR93L46RF-WE2

BR93L46RF-WE2

Solo per riferimento

Numero parte BR93L46RF-WE2
PNEDA Part # BR93L46RF-WE2
Descrizione IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.736
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR93L46RF-WE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR93L46RF-WE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR93L46RF-WE2, BR93L46RF-WE2 Datasheet (Totale pagine: 38, Dimensioni: 1.241,79 KB)
PDFBR93L76FJ-WE2 Datasheet Copertura
BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 2 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 3 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 4 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 5 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 6 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 7 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 8 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 9 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 10 BR93L76FJ-WE2 Datasheet Pagina 11

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BR93L46RF-WE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (64 x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (128K x 72)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.64ns

Tensione - Alimentazione

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

256-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

256-FBGA (17x17)

S29GL01GT11DHB013

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

AT28C64E-25JC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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