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BR93H86RFJ-2CE2

BR93H86RFJ-2CE2

Solo per riferimento

Numero parte BR93H86RFJ-2CE2
PNEDA Part # BR93H86RFJ-2CE2
Descrizione AUTOMOTIVE MICROWIRE BUS 16KBIT(
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.286
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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BR93H86RFJ-2CE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR93H86RFJ-2CE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR93H86RFJ-2CE2, BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 1.059,42 KB)
PDFBR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Copertura
BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 2 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 3 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 4 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 5 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 6 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 7 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 8 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 9 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 10 BR93H86RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 11

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BR93H86RFJ-2CE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (1K x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP-J

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-LFBGA (14x18)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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