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BR93H56RFVT-2CE2

BR93H56RFVT-2CE2

Solo per riferimento

Numero parte BR93H56RFVT-2CE2
PNEDA Part # BR93H56RFVT-2CE2
Descrizione AUTOMOTIVE MICROWIRE BUS 2KBIT(1
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.310
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR93H56RFVT-2CE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR93H56RFVT-2CE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR93H56RFVT-2CE2, BR93H56RFVT-2CE2 Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 1.057,61 KB)
PDFBR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Copertura
BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 2 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 3 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 4 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 5 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 6 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 7 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 8 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 9 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 10 BR93H56RFJ-2CE2 Datasheet Pagina 11

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BR93H56RFVT-2CE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (128 x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP-B

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

24Gb (192M x 128)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-CBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

80ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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