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BR25H640FVM-2ACTR

BR25H640FVM-2ACTR

Solo per riferimento

Numero parte BR25H640FVM-2ACTR
PNEDA Part # BR25H640FVM-2ACTR
Descrizione IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8MSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR25H640FVM-2ACTR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR25H640FVM-2ACTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR25H640FVM-2ACTR, BR25H640FVM-2ACTR Datasheet (Totale pagine: 39, Dimensioni: 1.560,54 KB)
PDFBR25H640F-2ACE2 Datasheet Copertura
BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 2 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 3 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 4 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 5 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 6 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 7 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 8 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 9 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 10 BR25H640F-2ACE2 Datasheet Pagina 11

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BR25H640FVM-2ACTR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP

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Tipo di memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC (16.6x16.6)

MT41K2G4TRF-107:E TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

8Gb (2G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9.5x11.5)

25AA320A-I/WF16K

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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