BR24T01FVM-WTR
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| Numero parte | BR24T01FVM-WTR |
| PNEDA Part # | BR24T01FVM-WTR |
| Descrizione | IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8MSOP |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.346 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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BR24T01FVM-WTR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BR24T01FVM-WTR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
BR24T01FVM-WTR, BR24T01FVM-WTR Datasheet
(Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.135,41 KB)
  
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BR24T01FVM-WTR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 1Kb (128 x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 400kHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.6V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP |
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Produttore Winbond Electronics Serie SpiFlash® Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND (SLC) Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 700µs Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (8x6) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-TFBGA (8x8) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 18Mb (256K x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 6.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-LFBGA (14x22) |
