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BR24G32NUX-3ATTR

BR24G32NUX-3ATTR

Solo per riferimento

Numero parte BR24G32NUX-3ATTR
PNEDA Part # BR24G32NUX-3ATTR
Descrizione IC EEPROM 32K I2C VSON008X2030
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24G32NUX-3ATTR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24G32NUX-3ATTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24G32NUX-3ATTR, BR24G32NUX-3ATTR Datasheet (Totale pagine: 40, Dimensioni: 2.764,23 KB)
PDFBR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Copertura
BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 2 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 3 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 4 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 5 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 6 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 7 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 8 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 9 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 10 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 11

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  • BR24G32NUX-3ATTR Distributor

BR24G32NUX-3ATTR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria32Kb (4K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreVSON008X2030

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-2

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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