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BR24G32FV-3AGTE2

BR24G32FV-3AGTE2

Solo per riferimento

Numero parte BR24G32FV-3AGTE2
PNEDA Part # BR24G32FV-3AGTE2
Descrizione IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8SSOPB
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24G32FV-3AGTE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24G32FV-3AGTE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24G32FV-3AGTE2, BR24G32FV-3AGTE2 Datasheet (Totale pagine: 40, Dimensioni: 2.764,23 KB)
PDFBR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Copertura
BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 2 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 3 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 4 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 5 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 6 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 7 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 8 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 9 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 10 BR24G32FVT-3AGE2 Datasheet Pagina 11

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BR24G32FV-3AGTE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria32Kb (4K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SSOPB

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Kb (2K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

68-BPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PGA (29.46x29.46)

M24C16-FMN6TP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS43LR16200D-6BL-TR

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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