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BR24G02FV-3GTE2

BR24G02FV-3GTE2

Solo per riferimento

Numero parte BR24G02FV-3GTE2
PNEDA Part # BR24G02FV-3GTE2
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SSOPB
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.132
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24G02FV-3GTE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24G02FV-3GTE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24G02FV-3GTE2, BR24G02FV-3GTE2 Datasheet (Totale pagine: 39, Dimensioni: 3.141,96 KB)
PDFBR24G02F-3GTE2 Datasheet Copertura
BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 2 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 3 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 4 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 5 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 6 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 7 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 8 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 9 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 10 BR24G02F-3GTE2 Datasheet Pagina 11

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BR24G02FV-3GTE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SSOPB

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

CY7C1313KV18-250BZCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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