BQ4014MB-120
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| Numero parte | BQ4014MB-120 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BQ4014MB-120 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 120 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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BQ4014MB-120 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BQ4014MB-120 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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BQ4014MB-120 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 2Mb (256K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 120ns |
| Tempo di accesso | 120ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.75V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
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