BQ4010YMA-200
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| Numero parte | BQ4010YMA-200 |
| PNEDA Part # | BQ4010YMA-200 |
| Descrizione | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.532 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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BQ4010YMA-200 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BQ4010YMA-200 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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BQ4010YMA-200 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 200ns |
| Tempo di accesso | 200ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II Dimensione della memoria 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
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