BQ4010MA-150
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| Numero parte | BQ4010MA-150 |
| PNEDA Part # | BQ4010MA-150 |
| Descrizione | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 26 - lug 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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BQ4010MA-150 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BQ4010MA-150 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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BQ4010MA-150 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 150ns |
| Tempo di accesso | 150ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.75V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 2Tb (256G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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