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BG3123H6327XTSA1

BG3123H6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BG3123H6327XTSA1
PNEDA Part # BG3123H6327XTSA1
Descrizione MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.588
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BG3123H6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBG3123H6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - RF
Datasheet
BG3123H6327XTSA1, BG3123H6327XTSA1 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 100,23 KB)
PDFBG3123RH6327XTSA1 Datasheet Copertura
BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 2 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 3 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 4 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 5 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 6 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 7 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 8 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 9 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 10 BG3123RH6327XTSA1 Datasheet Pagina 11

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BG3123H6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistor2 N-Channel (Dual)
Frequenza800MHz
Guadagno25dB
Tensione - Test5V
Corrente nominale (Amp)25mA, 20mA
Figura di rumore1.8dB
Corrente - Test14mA
Potenza - Uscita-
Tensione - Nominale8V
Pacchetto / Custodia6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT363-6

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Guadagno

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Tensione - Test

48V

Corrente nominale (Amp)

10µA

Figura di rumore

-

Corrente - Test

200mA

Potenza - Uscita

275W

Tensione - Nominale

105V

Pacchetto / Custodia

HBSOF-6-2

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HBSOF-6-2

2SK3476(TE12L,Q)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

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Frequenza

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Guadagno

11.4dB

Tensione - Test

7.2V

Corrente nominale (Amp)

3A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

500mA

Potenza - Uscita

7W

Tensione - Nominale

20V

Pacchetto / Custodia

TO-271AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PW-X

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

1.99GHz

Guadagno

15dB

Tensione - Test

26V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

600mA

Potenza - Uscita

60W

Tensione - Nominale

68V

Pacchetto / Custodia

TO-272BB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-272 WB-4

Produttore

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenza

2.3GHz ~ 2.4GHz

Guadagno

14.5dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

500mA

Potenza - Uscita

56W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

SOT-1252-1

Pacchetto dispositivo fornitore

DFM8

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.69GHz

Guadagno

16.3dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

450mA

Potenza - Uscita

15.5W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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