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BFU790F,115

BFU790F,115

Solo per riferimento

Numero parte BFU790F,115
PNEDA Part # BFU790F-115
Descrizione RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.986
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU790F Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU790F,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU790F, BFU790F Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 121,51 KB)
PDFBFU790F Datasheet Copertura
BFU790F Datasheet Pagina 2 BFU790F Datasheet Pagina 3 BFU790F Datasheet Pagina 4 BFU790F Datasheet Pagina 5 BFU790F Datasheet Pagina 6 BFU790F Datasheet Pagina 7 BFU790F Datasheet Pagina 8 BFU790F Datasheet Pagina 9 BFU790F Datasheet Pagina 10 BFU790F Datasheet Pagina 11

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BFU790F Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)2.8V
Frequenza - Transizione25GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Guadagno-
Potenza - Max234mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce235 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore4-DFP

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

7W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

MAX2601ESA

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Guadagno

11.6dB

Potenza - Max

6.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

MRF555G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

470MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

185mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

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