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BFU730LXZ

BFU730LXZ

Solo per riferimento

Numero parte BFU730LXZ
PNEDA Part # BFU730LXZ
Descrizione RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 89.202
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU730LXZ Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU730LXZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU730LXZ, BFU730LXZ Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 146,96 KB)
PDFBFU730LXZ Datasheet Copertura
BFU730LXZ Datasheet Pagina 2 BFU730LXZ Datasheet Pagina 3 BFU730LXZ Datasheet Pagina 4 BFU730LXZ Datasheet Pagina 5 BFU730LXZ Datasheet Pagina 6 BFU730LXZ Datasheet Pagina 7 BFU730LXZ Datasheet Pagina 8 BFU730LXZ Datasheet Pagina 9 BFU730LXZ Datasheet Pagina 10 BFU730LXZ Datasheet Pagina 11

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BFU730LXZ Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3V
Frequenza - Transizione53GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.75dB @ 6GHz
Guadagno15.8dB
Potenza - Max160mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce205 @ 2mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore3-DFN1006 (1.0x0.6)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

13.5dB ~ 20.5dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

2N5770_D27Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

2SC5066-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

BFR 92W E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

11.5dB ~ 17dB

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

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